NXP Semiconductors PESD12VS1UL
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PESD12VS1UL
1964-PESD12VS1UL
无类别的
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ESD protection diodes in a SOD882 package
1最小包装量--
PESD12VS1UL详情
NXP Semiconductors PESD12VS1UL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
2
Reverse Stand-off Voltage
12 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
电容量
75 pF
深度
620 µm
工作电压
12 V
电压
12 V
泄漏电流
50 nA
元素配置
Single
电流
5 A
最大反向漏电电流
50 nA
箝位电压
35 V
峰值脉冲电流
5 A
峰值脉冲功率
150 W
方向
单向
测试电流
5 mA
ESD保护
有
最小击穿电压
14.7 V
高度
500 µm
长度
1.02 mm
宽度
620 µm
辐射硬化
无
PESD12VS1UL拓展信息







哦! 它是空的。