NXP Semiconductors PHD10N10E
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PHD10N10E
1786-PHD10N10E
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
--最小包装量--
PHD10N10E详情
NXP Semiconductors PHD10N10E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 5 months ago)
终端数量
2
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
175 °C
最大功率耗散
60 W
连续放电电流(ID)
10 A
漏源电阻
250 mΩ
最小击穿电压
100 V
达到SVHC
有
PHD10N10E拓展信息







哦! 它是空的。