NXP Semiconductors PHD50N06LT
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PHD50N06LT
1964-PHD50N06LT
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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50A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-428, 3 PIN
1最小包装量--
PHD50N06LT详情
NXP Semiconductors PHD50N06LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SC-63
Package Description
PLASTIC, SOT-428, 3 PIN
Manufacturer Package Code
SOT428
Drain Current-Max (ID)
50 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.024 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PHD50N06LT拓展信息
NXP Semiconductors
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