PMBFJ177
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NXP Semiconductors PMBFJ177

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型号

PMBFJ177

utmel 编号

1786-PMBFJ177

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

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PMBFJ177
PMBFJ177 NXP Semiconductors Description: TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

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PMBFJ177详情

NXP Semiconductors PMBFJ177重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Package Description

    PLASTIC PACKAGE-3

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN

  • HTS代码

    8541.21.00

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    300 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 饱和电流

    1

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技术文档: NXP Semiconductors PMBFJ177.

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