NXP SEMICONDUCTORS PMDXB550UNE
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PMDXB550UNE
1786-PMDXB550UNE
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PMDXB550UNE详情
NXP SEMICONDUCTORS PMDXB550UNE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.59A
漏极-源极导通最大电阻
0.9Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PMDXB550UNE拓展信息







哦! 它是空的。