NXP SEMICONDUCTORS PMV40UN2

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Min.)

-55°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.044Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR