NXP Semiconductors PMZB370UNE
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PMZB370UNE
1964-PMZB370UNE
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MOSFET Transistor, N Channel, 900 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 770 mV
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PMZB370UNE详情
NXP Semiconductors PMZB370UNE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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引脚数
3
Case/Package
SOT
电阻
370 mΩ
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
360 mW
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
900 mA
阈值电压
770 mV
达到SVHC
无SVHC
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PMZB370UNE拓展信息








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