NXP Semiconductors PSMN1R2-30YLD
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PSMN1R2-30YLD
1964-PSMN1R2-30YLD
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Mosfet Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00096 Ohm, 10 V, 1.7 V
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PSMN1R2-30YLD详情
NXP Semiconductors PSMN1R2-30YLD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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引脚数
4
Case/Package
SOT-669
电阻
960 µΩ
最高工作温度
175 °C
最大功率耗散
194 W
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
100 A
阈值电压
1.7 V
达到SVHC
无SVHC
0个相似型号
PSMN1R2-30YLD拓展信息








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