NXP Semiconductors PSMN1R9-40PL

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Drain Current-Max (ID)

150 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0017 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1332 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

801.1 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR