NXP Semiconductors PSMN2R660PS
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PSMN2R660PS
1964-PSMN2R660PS
无类别的
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Mosfet Transistor, N Channel, 150 A, 60 V, 0.00197 Ohm, 10 V, 3 V
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PSMN2R660PS详情
NXP Semiconductors PSMN2R660PS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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引脚数
3
Case/Package
TO-220AB
电阻
1.97 mΩ
最高工作温度
175 °C
最大功率耗散
326 W
漏源电压 (Vdss)
60 V
连续放电电流(ID)
150 A
阈值电压
3 V
达到SVHC
无SVHC
0个相似型号
PSMN2R660PS拓展信息








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