PSMN2R660PS
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NXP Semiconductors PSMN2R660PS

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型号

PSMN2R660PS

utmel 编号

1964-PSMN2R660PS

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet Transistor, N Channel, 150 A, 60 V, 0.00197 Ohm, 10 V, 3 V

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PSMN2R660PS
PSMN2R660PS NXP Semiconductors Mosfet Transistor, N Channel, 150 A, 60 V, 0.00197 Ohm, 10 V, 3 V

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PSMN2R660PS详情

NXP Semiconductors PSMN2R660PS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 引脚数

    3

  • Case/Package

    TO-220AB

  • 电阻

    1.97 mΩ

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最大功率耗散

    326 W

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • 连续放电电流(ID)

    150 A

  • 阈值电压

    3 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

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PSMN2R660PS拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS