PTVS33VS1UTR
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NXP Semiconductors PTVS33VS1UTR

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型号

PTVS33VS1UTR

utmel 编号

1964-PTVS33VS1UTR

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: 400W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC PACKAGE-2

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PTVS33VS1UTR
PTVS33VS1UTR NXP Semiconductors Description: 400W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC PACKAGE-2

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PTVS33VS1UTR详情

NXP Semiconductors PTVS33VS1UTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Package Description

    R-PDSO-F2

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    185 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2; IEC-61643-321

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F2

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • Rep Pk反向电压-最大值

    33 V

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    400 W

  • 击穿电压-最小值

    36.7 V

  • 击穿电压-最大值

    40.6 V

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技术文档: NXP Semiconductors PTVS33VS1UTR.

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