NXP Semiconductors PTVS33VS1UTR
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PTVS33VS1UTR
1964-PTVS33VS1UTR
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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Description: 400W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC PACKAGE-2
1最小包装量--
PTVS33VS1UTR详情
NXP Semiconductors PTVS33VS1UTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
R-PDSO-F2
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
185 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2; IEC-61643-321
JESD-30代码
R-PDSO-F2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
33 V
最大非代表峰值转速功率Dis
400 W
击穿电压-最小值
36.7 V
击穿电压-最大值
40.6 V
PTVS33VS1UTR拓展信息
NXP Semiconductors
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