NXP Semiconductors PUMB4

底架

表面贴装

引脚数

6

Case/Package

SOT-363

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-150 mV

hFEMin

200

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 mW

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

200 mW

集电极发射器电压(VCEO)

-150 mV

最大集电极电流

100 A

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

高度

1 mm

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

达到SVHC

无SVHC