NXP Semiconductors S82S141F883C
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S82S141F883C
1964-S82S141F883C
专用
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IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CDIP24, CERAMIC, DIP-24, Memory IC:Other
1最小包装量--
S82S141F883C详情
NXP Semiconductors S82S141F883C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
24
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SIGNETICS CORP
Part Package Code
DIP
Package Description
DIP, DIP24,.6
Access Time-Max
90 ns
Number of Words
512 words
Number of Words Code
512
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP24,.6
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
24
JESD-30代码
R-CDIP-T24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.185 mA
组织结构
512X8
内存宽度
8
记忆密度
4096 bit
筛选水平
MIL-STD-883
内存IC类型
存储器电路
S82S141F883C拓展信息








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