NXP USA Inc. BAS216,115
- 收藏
- 对比
BAS216,115
1786-BAS216,115
二极管 - 整流器 - 单
SOD-110
大陆
立即发货

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2
--最小包装量--
BAS216,115详情
NXP USA Inc. BAS216,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
SOD-110
安装类型
表面贴装
二极管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
0.4W
Operating Temperature (Max.)
150°C
Number of Elements
1
已出版
2009
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
DUAL
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BAS216
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDSO-R2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 75V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 150mA
工作温度 - 结点
150°C Max
输出电流-最大值
0.25A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
75V
平均整流电流(Io)
250mA DC
反向恢复时间
4ns
Rep Pk反向电压-最大值
85V
电容@Vr, F
1.5pF @ 0V 1MHz
最大非代表Pk前进电流
4A
反向电流-最大值
1μA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BAS216,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。