NXP USA Inc. BAV99T/R
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BAV99T/R
1786-BAV99T/R
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0.215A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
1最小包装量--
BAV99T/R详情
NXP USA Inc. BAV99T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BAV99T/R
Power Dissipation (Max)
0.25 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Forward Voltage-Max (VF)
1.25 V
Risk Rank
7.8
Part Package Code
SOT-23
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
研磨二极管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
输出电流-最大值
0.215 A
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大非代表Pk前进电流
4 A
反向电流-最大值
1 µA
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
BAV99T/R拓展信息







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