NXP USA Inc. BC850CW115

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

4.535924 g

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

恩智浦半导体

Product Status

活跃

系列

*

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 mW

频率

100 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200 mW

增益带宽积

100 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

最高频率

100 MHz

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

45 V

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

长度

2.2 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅