NXP USA Inc. BC858W

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-30 V

RoHS

Compliant

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC858W

Manufacturer

Philips Semiconductors

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Risk Rank

7.77

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

200 mW

Reach合规守则

unknown

极性

PNP

配置

Single

极性/通道类型

PNP

转换频率

100 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

125

达到SVHC

无SVHC