NXP USA Inc. BC859CW

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

650 mV

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC859CW

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diotec Semiconductor AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

Risk Rank

5.05

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

100 mA

最高频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

420

集电极-发射器电压-最大值

30 V

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

长度

2.2 mm