NXP USA Inc. BCM857BV
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BCM857BV
1786-BCM857BV
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-6, BIP General Purpose Small Signal
--最小包装量--
BCM857BV详情
NXP USA Inc. BCM857BV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC PACKAGE-6
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
175 MHz
Manufacturer Part Number
BCM857BV
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.7
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.38 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
200
集电极-发射器电压-最大值
45 V
BCM857BV拓展信息







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