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NXP USA Inc. BCM857DS115
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BCM857DS115
1786-BCM857DS115
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
SC-74, SOT-457
大陆
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PNP/PNP MATCHED DOUBLE TRANSISTO
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BCM857DS115详情
NXP USA Inc. BCM857DS115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
供应商器件包装
6-TSOP
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
功率 - 最大
380mW
晶体管类型
2 PNP (Dual) Matched Pair
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
400mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
45V
频率转换
175MHz
BCM857DS115拓展信息
NXP
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公司资质
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