NXP USA Inc. BCX56-10115
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BCX56-10115
1786-BCX56-10115
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80 V, 1 A NPN medium power transistor SOT-89 3-Pin
1最小包装量--
BCX56-10115详情
NXP USA Inc. BCX56-10115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
4.535924 g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80 V
hFEMin
63
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.25 W
频率
180 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
增益带宽积
180 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
1 A
最高频率
180 MHz
转换频率
180 MHz
最大击穿电压
80 V
集电极基极电压(VCBO)
100 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
2.6 mm
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BCX56-10115拓展信息







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