NXP USA Inc. BFS20W115
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BFS20W115
1786-BFS20W115
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BFS20W - NPN medium frequency transistor SC-70 3-Pin
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BFS20W115详情
NXP USA Inc. BFS20W115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
59.987591 mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
*
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
频率
470 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
200 mW
输出功率
250 mW
增益带宽积
470 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
20 V
最大集电极电流
25 mA
转换频率
470 MHz
最大击穿电压
20 V
集电极基极电压(VCBO)
30 V
发射极基极电压 (VEBO)
4 V
连续集电极电流
25 mA
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
长度
2.2 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
BFS20W115拓展信息







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