NXP USA Inc. BLF6G22LS-75
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BLF6G22LS-75
1786-BLF6G22LS-75
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TRANSISTOR S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power
1最小包装量--
BLF6G22LS-75详情
NXP USA Inc. BLF6G22LS-75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF6G22LS-75
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.64
Drain Current-Max (ID)
18 A
ECCN 代码
EAR99
附加功能
防静电
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFP-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
最高频段
S带
BLF6G22LS-75拓展信息







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