NXP USA Inc. BLL6H1214L-250
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BLL6H1214L-250
1786-BLL6H1214L-250
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TRANSISTOR L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power
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BLL6H1214L-250详情
NXP USA Inc. BLL6H1214L-250重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLL6H1214L-250
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.12
Drain Current-Max (ID)
42 A
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200 °C
最大功率耗散
250 W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
100 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
42 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
达到SVHC
无SVHC
BLL6H1214L-250拓展信息







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