NXP USA Inc. BST39.115

底架

表面贴装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.3 W

频率

70 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.3 W

测试电流

5 mA

增益带宽积

70 MHz

齐纳电压

15 V

集电极发射器电压(VCEO)

350 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

70 MHz

最大击穿电压

350 V

集电极基极电压(VCBO)

400 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅