NXP USA Inc. BU508DF
- 收藏
- 对比
BU508DF
1786-BU508DF
无类别的
--
大陆
立即发货

TRANSISTOR 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-199, 3 PIN, BIP General Purpose Power
--最小包装量--
BU508DF详情
NXP USA Inc. BU508DF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
SOT199
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
7 MHz
Manufacturer Part Number
BU508DF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.65
Part Package Code
SFM
JESD-609代码
e3
端子表面处理
TIN
附加功能
可提供成型引线选项
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
125 W
集电极电流-最大值(IC)
8 A
最小直流增益(hFE)
6
集电极-发射器电压-最大值
700 V
VCEsat-最大值
1 V
环境耗散-最大值
34 W
BU508DF拓展信息







哦! 它是空的。