BYG60M
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NXP USA Inc. BYG60M

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型号

BYG60M

utmel 编号

1786-BYG60M

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE 0.65 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode

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BYG60M NXP USA Inc. DIODE 0.65 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode

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BYG60M详情

NXP USA Inc. BYG60M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    R-PDSO-C2

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BYG60M

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Forward Voltage-Max (VF)

    1.2 V

  • Risk Rank

    5.89

  • Part Package Code

    DO-214AC

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    低漏电流

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 子类别

    研磨二极管

  • 技术

    AVALANCHE

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-PDSO-C2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 电压

    1 kV

  • 电流

    1 A

  • 二极管类型

    接收电极

  • 输出电流-最大值

    0.65 A

  • Rep Pk反向电压-最大值

    1000 V

  • JEDEC-95代码

    DO-214AC

  • 最大非代表Pk前进电流

    25 A

  • 反向恢复时间-最大值

    0.3 µs

0个相似型号

BYG60M拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS