NXP USA Inc. BYV32EB-200,118
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BYV32EB-200,118详情
NXP USA Inc. BYV32EB-200,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
质量
4.535924 g
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
BYV32
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
Package Description
PLASTIC, D2PAK-3/2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BYV32EB-200,118
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
WeEn Semiconductor Co Ltd
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
Forward Voltage-Max (VF)
1.15 V
Risk Rank
1.4
包装
Digi-Reel®
系列
*
JESD-609代码
e3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
应用
超快软恢复
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
元素配置
共阴极
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
正向电流
20 A
最大浪涌电流
137 A
正向电压
1.15 V
最大反向电压(DC)
200 V
平均整流电流
20 A
相位的数量
1
反向恢复时间
25 ns
峰值反向电流
30 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
200 V
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
峰值非恢复性浪涌电流
137 A
最大非代表Pk前进电流
137 A
反向电压
200 V
反向电流-最大值
30 µA
最大正向浪涌电流(Ifsm)
137 A
恢复时间
25 ns
反向恢复时间-最大值
0.025 µs
宽度
9.4 mm
高度
4.5 mm
长度
10.3 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BYV32EB-200,118拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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