NXP USA Inc. BYV40E-150,115

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-223

二极管元件材料

SILICON

终端数量

4

Package

Bulk

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

1.5A

Package Description

R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

SOT223

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BYV40E-150,115

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Forward Voltage-Max (VF)

1 V

Risk Rank

5.68

Part Package Code

SC-73

系列

-

JESD-609代码

e3

端子表面处理

TIN

应用

超快软恢复

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

IEC-134

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

Brand Name

恩智浦半导体

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 150 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 1.5 A

箱体转运

CATHODE

工作温度 - 结点

150°C (Max)

输出电流-最大值

1.5 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

150 V

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

150 V

最大非代表Pk前进电流

6.6 A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

反向电流-最大值

10 µA

反向恢复时间-最大值

0.025 µs

反向恢复时间(trr)

25 ns