NXP USA Inc. BYV42EB-200,118
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BYV42EB-200,118详情
NXP USA Inc. BYV42EB-200,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
BYV42
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BYV42EB-200,118
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
WeEn Semiconductor Co Ltd
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
Forward Voltage-Max (VF)
1.2 V
Risk Rank
1.22
系列
*
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
应用
超快软恢复
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
IEC-134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
元素配置
共阴极
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
正向电流
30 A
最大浪涌电流
160 A
正向电压
1 V
最大反向电压(DC)
200 V
平均整流电流
30 A
相位的数量
1
反向恢复时间
28 ns
峰值反向电流
100 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
200 V
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
峰值非恢复性浪涌电流
160 A
最大非代表Pk前进电流
160 A
反向电压
200 V
反向电流-最大值
100 µA
恢复时间
28 ns
反向恢复时间-最大值
0.028 µs
辐射硬化
无
无铅
无铅
BYV42EB-200,118拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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