NXP USA Inc. H11B2
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H11B2
1786-H11B2
二极管 - 整流器 - 单
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大陆
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H11B2 datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from NXP USA Inc. stock available at utmel
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H11B2详情
NXP USA Inc. H11B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
6
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
1.1 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
100 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
260 mW
输出电压
25 V
通道数量
1
功率耗散
260 mW
正向电流
60 mA
每个通道的输出电流
100 mA
正向电压
1.5 V
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
最大集电极电流
100 mA
反向击穿电压
3 V
最大输入电流
60 mA
输入电流
50 mA
隔离电压
5.3 kV
辐射硬化
无
H11B2拓展信息
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