MRFE6VS25GN-960
MRFE6VS25GN-960

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥10459.186405

  • 10

    ¥10115.267313

  • 25

    ¥10044.95265

  • 50

    ¥9975.126759

  • 100

    ¥9769.957654

  • 500

    ¥9071.455567

NXP USA Inc. MRFE6VS25GN-960

  • 收藏
  • 对比

型号

MRFE6VS25GN-960

utmel 编号

1786-MRFE6VS25GN-960

商品类别

射频评估和开发套件,开发板

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MRFE6VS25GN REF BRD 1215MHZ 30W

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
MRFE6VS25GN-960
MRFE6VS25GN-960 NXP USA Inc. MRFE6VS25GN REF BRD 1215MHZ 30W

单价: $

合计:

库存:632

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

MRFE6VS25GN-960详情

NXP USA Inc. MRFE6VS25GN-960重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • Operating Temperature (Min.)

    -40°C

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 类型

    Transistor

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 频率

    960MHz~1.215GHz

  • JESD-30代码

    R-PDFM-F2

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 提供的内容

    Board(s)

  • DS 击穿电压-最小值

    133V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 环境耗散-最大值

    25W

  • 功率增益-最小值(Gp)

    24.5dB

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: NXP USA Inc. MRFE6VS25GN-960.

MRFE6VS25GN-960拓展信息

MRF13750H-915MHZ
MRF13750H-915MHZ

NXP USA Inc.

MRFX1K80H-27MHZ
MRFX1K80H-27MHZ

NXP USA Inc.

SLN-IOT-GPI
SLN-IOT-GPI

NXP USA Inc.

OM2385/SF001
OM2385/SF001

NXP USA Inc.

MMG3014N-EVKB3
MMG3014N-EVKB3

NXP USA Inc.

MMG3014N-EVKB1
MMG3014N-EVKB1

NXP USA Inc.

FRDM-KW24D512
FRDM-KW24D512

NXP USA Inc.

MFEV710,599
MFEV710,599

NXP USA Inc.

MMG3014N-EVKB7
MMG3014N-EVKB7

NXP USA Inc.

MRFX1K80H-230MHZ
MRFX1K80H-230MHZ

NXP USA Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z