NXP USA Inc. NX2301P215
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NX2301P215
1786-NX2301P215
无类别的
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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NX2301P - 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin
1最小包装量--
NX2301P215详情
NXP USA Inc. NX2301P215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
TO-236AB
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
厂商
恩智浦半导体
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
120mOhm @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
380 pF @ 6 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±8V
场效应管特性
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NX2301P215拓展信息







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