NXP USA Inc. PBSS5320T
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PBSS5320T
1786-PBSS5320T
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TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
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PBSS5320T详情
NXP USA Inc. PBSS5320T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20 V
hFEMin
220
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.2 W
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
300 mW
集电极发射器电压(VCEO)
20 V
最大集电极电流
2 A
最高频率
100 MHz
集电极基极电压(VCBO)
20 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
达到SVHC
无SVHC
PBSS5320T拓展信息







哦! 它是空的。