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NXP USA Inc. PDTC115ET
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PDTC115ET
1786-PDTC115ET
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
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PDTC115ET详情
NXP USA Inc. PDTC115ET重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
引脚数
3
RoHS
Compliant
hFEMin
80
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
20 mA
发射极基极电压 (VEBO)
10 V
长度
3 mm
高度
1 mm
宽度
1.4 mm
达到SVHC
无SVHC
PDTC115ET拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。