NXP USA Inc. PMBFJ111,215
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PMBFJ111,215
1786-PMBFJ111,215
晶体管 - JFET
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
1最小包装量--
PMBFJ111,215详情
NXP USA Inc. PMBFJ111,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBFJ111
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
300mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6pF @ 10V VGS
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
30Ohm
DS 击穿电压-最小值
40V
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.3W
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
20mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
10V @ 1μA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
40V
电阻-RDS(On)
30Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMBFJ111,215拓展信息
NXP USA Inc.
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