NXP USA Inc. PUMD9115
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PUMD9115
1786-PUMD9115
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PEMD9; PUMD9 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ TSSOP 6-Pin
1最小包装量--
PUMD9115详情
NXP USA Inc. PUMD9115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
质量
453.59237 mg
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
*
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
300 mW
最大输出电流
100 mA
工作电源电压
50 V
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
齐纳电压
2.7 V
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
最大击穿电压
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
10 V
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
长度
2.2 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
PUMD9115拓展信息







哦! 它是空的。