Ohmite AG25F33R2E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

表面安装

NO

端子形状

LUG

越来越多的功能

CHASSIS MOUNT

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

终端数量

2

Package

Bag

Base Product Number

CY7C1414

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

Radial,

Package Style

Radial

Operating Temperature-Max

275 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

AG25F33R2E

Package Shape

管状包装

Manufacturer

Ohmite Mfg Co

Part Life Cycle Code

活跃

Package Diameter

14.3 mm

Ihs Manufacturer

OHMITE MANUFACTURING CO

Package Length

50.8 mm

Risk Rank

5.57

Manufacturer Series

AG

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

容差

1%

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

33.2 Ω

端子表面处理

Copper/Nickel (Cu/Ni)

HTS代码

8533.29.00.00

子类别

固定电阻器

技术

SRAM - Synchronous, QDR II

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

结构

Welded

电阻器类型

固定电阻

Reach合规守则

unknown

额定功率损耗(P)

25 W

工作电压

625 V

额定温度

25 °C

内存大小

36Mbit

时钟频率

200 MHz

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

-

组织的记忆

1M x 36