AGR19K180EF详情
Ohmite AGR19K180EF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
AGR19K180EF
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
AVAGO TECHNOLOGIES INC
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Risk Rank
5.25
Drain Current-Max (ID)
8.5 A
Number of Elements
2
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
30
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CDFM-F4
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.5 A
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
AGR19K180EF拓展信息
Ohmite
Ohmite
Ohmite
Ohmite
Ohmite
Ohmite
Ohmite
Ohmite
Ohmite
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