onsemi MMFT3055ET1

包装/外壳

SOT-223-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-223

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

厂商

onsemi

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

800mW (Ta)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A (Tc)

Package Description

CASE 318E-04, 4 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318E-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MMFT3055ET1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.3

Part Package Code

TO-261AA

Drain Current-Max (ID)

1.7 A

系列

*

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-261AA

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR