MTD2N40E
MTD2N40E

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onsemi MTD2N40E

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型号

MTD2N40E

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-MTD2N40E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

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MTD2N40E
MTD2N40E onsemi N-CHANNEL POWER MOSFET

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MTD2N40E详情

onsemi MTD2N40E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package

    Bulk

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    DPAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MTD2N40E

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.33

  • Drain Current-Max (ID)

    2 A

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    3.5 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    6 A

  • DS 击穿电压-最小值

    400 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    45 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: onsemi MTD2N40E.

MTD2N40E拓展信息

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