注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.014269
10
¥1.900254
100
¥1.792693
500
¥1.691219
1000
¥1.59549
MTD6N20E1详情
onsemi MTD6N20E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
onsemi
Package
Bulk
Product Status
活跃
Package Description
DPAK-3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MTD6N20E1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.16
Drain Current-Max (ID)
6 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.7 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
54 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MTD6N20E1拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。