MTDF1C02HDR2
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onsemi MTDF1C02HDR2

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型号

MTDF1C02HDR2

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-MTDF1C02HDR2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-CHANNEL MOSFET

起订量

1最小包装量--

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MTDF1C02HDR2
MTDF1C02HDR2 onsemi P-CHANNEL MOSFET

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MTDF1C02HDR2详情

onsemi MTDF1C02HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    onsemi

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    MICROPAK-8

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MTDF1C02HDR2

  • Drain Current-Max (ID)

    1.7 A

  • Risk Rank

    5.39

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Number of Elements

    2

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Package Shape

    SQUARE

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • JESD-30代码

    S-PDSO-G8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.12 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 达到SVHC

    unknown

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技术文档: onsemi MTDF1C02HDR2.

MTDF1C02HDR2拓展信息

BSS138LT1G
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NVR5198NLT1G
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