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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.202978
10
¥15.285827
100
¥14.420591
500
¥13.604331
1000
¥12.834278
N256S0830HDAT2-20I详情
onsemi N256S0830HDAT2-20I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
厂商
onsemi
Package
Bulk
Product Status
活跃
Number of Words
32000
RoHS
Compliant
Package Description
4.40 MM, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
N256S0830HDAT2-20I
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
AMI Semiconductor
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
AMI SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.77
系列
*
JESD-609代码
e3/e4
端子表面处理
MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
unknown
频率
20 MHz
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
2.7 V
端口的数量
1
电源电流
10 mA
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
25 ns
组织结构
32KX8
座位高度-最大
1.1 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
1 b
密度
256 kb
记忆密度
262144 bit
并行/串行
SERIAL
同步/异步
Synchronous
字长
8 b
内存IC类型
标准SRAM
宽度
3 mm
长度
4.4 mm
无铅
无铅
N256S0830HDAT2-20I拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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