NSV60101DMR6T2G
NSV60101DMR6T2G

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onsemi NSV60101DMR6T2G

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型号

NSV60101DMR6T2G

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-NSV60101DMR6T2G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN

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NSV60101DMR6T2G
NSV60101DMR6T2G onsemi 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN

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NSV60101DMR6T2G详情

onsemi NSV60101DMR6T2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-74, SOT-457

  • 供应商器件包装

    SC-74

  • 厂商

    onsemi

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    1A

  • Qualification

    AEC-Q101

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    切割胶带

  • 子类别

    Transistors

  • 功率 - 最大

    400mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    250 @ 100mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 50mA, 1A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    60V

  • 频率转换

    200MHz

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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技术文档: onsemi NSV60101DMR6T2G.

NSV60101DMR6T2G拓展信息

MBT3906DW1T1G
MBT3906DW1T1G

ON Semiconductor

BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G

ON Semiconductor

BC847BPDW1T1G
BC847BPDW1T1G

ON Semiconductor

BC846BDW1T1G
BC846BDW1T1G

ON Semiconductor

MC1413BDR2G
MC1413BDR2G

ON Semiconductor

BC847BDW1T3G
BC847BDW1T3G

ON Semiconductor

MMPQ2907A
MMPQ2907A

ON Semiconductor

BC847CDW1T1G
BC847CDW1T1G

ON Semiconductor

NST3946DXV6T1G
NST3946DXV6T1G

ON Semiconductor

BC857CDW1T1G
BC857CDW1T1G

ON Semiconductor

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