NTNS3C68NZT5G详情
onsemi NTNS3C68NZT5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
onsemi
Package
Bulk
Product Status
活跃
Package Description
CHIP CARRIER, R-PBCC-N3
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
506CB
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
NTNS3C68NZT5G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.75
Drain Current-Max (ID)
0.758 A
系列
*
无铅代码
有
端子表面处理
Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBCC-N3
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
DS 击穿电压-最小值
12 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.156 W
NTNS3C68NZT5G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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