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价格梯度

内地含税价

1

￥23.680569
10

￥22.34016
100

￥21.075626
500

￥19.882659
1000

￥18.75723

onsemi NVMFS2D3P04M8LT1G

Name: NVMFS2D3P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 1807-NVMFS2D3P04M8LT1G
Price: 23.68 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NVMFS2D3P04M8LT1G

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-NVMFS2D3P04M8LT1G

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-PowerTDFN, 5 Leads

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MV8 P INITIAL PROGRAM

起订量

--最小包装量--

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NVMFS2D3P04M8LT1G onsemi MV8 P INITIAL PROGRAM

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NVMFS2D3P04M8LT1G详情

技术参数

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onsemi NVMFS2D3P04M8LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads
供应商器件包装

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
厂商

onsemi
Product Status

活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A (Ta), 222A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 205W (Tc)
Continuous Drain Current Id

222
系列

Automotive, AEC-Q101
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
功率耗散

205
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 2.7mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5985 pF @ 20 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

157 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

40 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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NVMFS2D3P04M8LT1G拓展信息

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