ON Semiconductor 09N03A

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

EMB09N03A

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

EXCELLIANCE MOS CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

50 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.009 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

140 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

70 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR