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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.536806
10
¥3.336612
100
¥3.147748
500
¥2.969572
1000
¥2.801485
ON Semiconductor 1.5KE12ARL4G
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- 对比
1.5KE12ARL4G
1807-1.5KE12ARL4G
电路保护套件 - TVS 二极管
DO-201AD, Axial
大陆
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1500 Watt MOSORB? Transient Voltage Suppressor, 12 V Unidir, Axial Lead MOSORB 9.52x5.21mm, 25.4x0.97mm Pkg, Lead len/dia, 1500-REEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
1.5KE12ARL4G详情
ON Semiconductor 1.5KE12ARL4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-201AD, Axial
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
Axial
质量
4.535924 g
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Supplier Package
Case 41A-04
Peak Pulse Power Dissipation
1500 W
Direction Type
Uni-Directional
Mounting
通孔
Breakdown Voltage / V
11.4 V
Reverse Stand-off Voltage
10.2 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
1.5KE
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
O-PALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
1.5KE12ARL4G
Power Dissipation (Max)
5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Littelfuse Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
LITTELFUSE INC
Risk Rank
7.37
操作温度
-65 to 175 °C
包装
切割胶带
系列
Mosorb™
JESD-609代码
e3
终端
Axial
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Zener
应用
通用型
附加功能
EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
1.5 kW
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-PALF-W2
资历状况
不合格
工作电源电压
10.2 V
极性
单向
配置
Single
通道数量
1
泄漏电流
5 µA
元素配置
Single
二极管类型
跨压抑制二极管
功率耗散
1.5 kW
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
无
电压 - 击穿
11.4V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
90A
最大反向漏电电流
5 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
16.7V
箝位电压
16.7 V
电压 - 反向断态(典型值)
10.2V
峰值脉冲电流
90 A
最大浪涌电流
90 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
方向
单向
无卤素
无卤素
测试电流
1 mA
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
10.2 V
电容@频率
-
反向击穿电压
11.4 V
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
最大击穿电压
12.6 V
ESD保护
有
单向通道数
1
击穿电压-最小值
11.4 V
击穿电压-最大值
12.6 V
最小击穿电压
11.4 V
宽度
6.35 mm
高度
6.35 mm
长度
6.35 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
1.5KE12ARL4G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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