ON Semiconductor 1.5KE30ARL4G

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

Case 41A-04

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

41A-04

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1.5KE30ARL4G

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Samacsys Description

TVS Diode 1500W Mosorb Unidirect. 25.6V ON Semiconductor 1.5KE30ARL4G, Uni-Directional TVS Diode, 41.4V, 1500W, 2-Pin MOSORB

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

30 V

Risk Rank

3.78

操作温度

-65 to 175 °C

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

通用型

附加功能

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

28.5V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

36A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

41.4V

电压 - 反向断态（典型值）

25.6V

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

25.6 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

28.5 V

最大箝位电压

41.4 V

击穿电压-最大值

31.5 V